遠隔プラズマCVDによりジシラン前駆体から高品質シリコン酸化膜を形成する方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008272392
Publication number (International publication number)：2009111382
Application date： Oct. 22, 2008
Publication date： May. 21, 2009
Summary：

【課題】基板上の微細なトレンチおよびギャップにシリコンおよび窒素含有膜を堆積する方法を提供する。【解決手段】基板を収容する堆積チャンバ内にシリコンを含有する前駆体を導入することを含み、シリコンを含有する前駆体は少なくとも2つのシリコン原子を含む。さらに、堆積チャンバの外側に位置する遠隔プラズマシステムを用いて少なくとも1つのラジカル窒素前駆体を生成する。さらに、堆積チャンバにラジカル窒素前駆体を導入することを含み、ラジカル窒素およびシリコン含有前駆体は反応して基板上にシリコンおよび窒素含有膜を堆積する。さらに、蒸気環境内でシリコンおよび窒素含有膜をアニーリングしてシリコン酸化膜を形成することを含み、蒸気環境は水および酸蒸気を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にシリコンおよび窒素含有膜を堆積する方法であって、前記基板を収容する堆積チャンバに、少なくとも2つのシリコン原子を含むシリコン含有前駆体を導入するステップと、前記堆積チャンバの外側に位置する遠隔プラズマシステムを用いて少なくとも1つのラジカル窒素前駆体を生成するステップと、前記堆積チャンバに前記ラジカル窒素前駆体を導入するステップと、を備え、前記ラジカル窒素およびシリコン含有前駆体が反応し、前記基板上に前記シリコンおよび窒素含有膜を堆積する方法。

IPC (1)：

H01L 21/318

FI (1)：

H01L21/318 B

F-Term (8)：

5F058BA02 , 5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BH03 , 5F058BJ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマCVD装置およびプラズマCVD方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-117304 Applicant：ソニー株式会社
絶縁膜の製造方法及びこの絶縁膜を使用する半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-123018 Applicant：右高正俊, 東亞合成株式会社
半導体膜の改良された堆積方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-578556 Applicant：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド

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