MISトランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996329473
Publication number (International publication number)：1998173177
Application date： Dec. 10, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】ゲート電極とソース/ドレイン電極間で電気的短絡を起こし難いMISトランジスタを得る。【解決手段】サイドウォール15を二重構造とする。バッファ層13を窒化酸化シリコンで形成され、バッファ層13の上に窒化シリコン層14が形成される。このサイドウォール15をマスクとしてシリサイド膜10を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にMISトランジスタのゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の両側の前記シリコン基板上に該シリコン基板に接するように窒化シリコン層を含むサイドウォールを形成する工程と、シリサイド反応時にシリコンに対し拡散種となる金属を用いて前記サイドウォールの外側の前記シリコン基板にシリサイド膜を形成する工程とを備える、MISトランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/28 301 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-077942 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-058723 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平3-046238

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