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J-GLOBAL ID：200903094631925731

薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
荒井 康行

About 荒井 康行


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996097477
Publication number (International publication number)：1996340127
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：
【要約】【課題】 触媒元素を添加して、固相成長法で作成した薄膜太陽電池において、結晶化後に膜中の触媒元素の濃度を低減させ、良好な特性をえる。【解決手段】 基板101上に、酸化シリコン膜102、非晶質シリコン膜103を形成する。次に非晶質シリコン膜103の表面に結晶化を促進する触媒元素を添加し、加熱処理を加え、非晶質シリコン膜を結晶化させる。得られた結晶性シリコン膜104に密接してPSG105を設け、リン・ゲッタリングにより結晶性シリコン膜104内の触媒元素を拡散させる。その結果、結晶性シリコン膜104中に残留する前記触媒元素の濃度が低減する。得られた薄膜太陽電池は、良好な光電変換特性を示す。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも非晶質シリコンと、該非晶質シリコンに密接して形成されたシリコンの結晶化を促進させる金属元素とが設けられ、前記非晶質シリコンと前記金属元素とに加熱処理を加えて形成された、結晶性シリコンを用いた薄膜太陽電池において、前記結晶性シリコンは前記触媒元素を含み、該触媒元素の濃度は、5×1018/cm3 以下であることを特徴とする薄膜太陽電池。
IPC (4)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/322
FI (5)：
H01L 31/04 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/225 R ,  H01L 21/322 R ,  H01L 31/04 V
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
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