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J-GLOBAL ID：200903095159989824

光ファイバひずみ計測方法及びその装置

Inventor：
成瀬 央

About 成瀬 央

, 
立田 光廣

About 立田 光廣


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001051068
Publication number (International publication number)：2002250676
Application date： Feb. 26, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ひずみの計測に最適な入射パルス光の強度形状を提供するとともに、その入射パルス光を用いて計測されたブリルアン散乱光のパワースペクトルに対して、そのピークパワー周波数を精度良く決定すること。【解決手段】 センシング用光ファイバに沿った各計測点について、光周波数を変数として計測されたブリルアン散乱光のパワーをソートする工程において、ブリルアン後方散乱光のパワーは、三角形入射パルス光を用いて計測される(第1工程)。次に、光周波数とその光周波数において観測されたブリルアン後方散乱光のパワーとの関係を多項式で近似し、その係数を最小2乗法を用いて求め、それよりピークパワー周波数νBを算出する(第2工程)。次に、求めるべき全ての計測点のデータについて第2工程を繰り返す。
Claim (excerpt)：
光ファイバに発生している長さ方向のひずみを求める光ファイバひずみ計測方法において、前記光ファイバに沿った各計測点について、光周波数を変数として計測されたブリルアン散乱光のパワーをソートする第1の工程と、前記光周波数とその光周波数において観測されたブリルアン後方散乱光のパワーとの関係を多項式で近似し、その係数を最小2乗法を用いて求めてピークパワー周波数を算出する第2の工程と、前記光ファイバに沿って求めるべき全ての計測点のデータについて前記第2工程を繰り返す工程とからなることを特徴とする光ファイバひずみ計測方法。
IPC (3)：
G01M 11/00 ,  G01B 11/16 ,  G01L 1/24
FI (3)：
G01M 11/00 U ,  G01B 11/16 Z ,  G01L 1/24 A
F-Term (12)：
2F065AA65 ,  2F065CC14 ,  2F065DD03 ,  2F065FF41 ,  2F065GG04 ,  2F065GG22 ,  2F065JJ01 ,  2F065LL02 ,  2F065NN08 ,  2F065QQ14 ,  2F065UU05 ,  2G086DD05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (4)
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