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J-GLOBAL ID：200903095492992085

半導体装置

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Inventor： 井 野 恒 洋 ,  小 山 正 人 ,  上牟田 雄 一 ,  西 山 彰
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005253295
Publication number (International publication number)：2007067266
Application date： Sep. 01, 2005
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：

【課題】 リーク電流を減らすことを可能にするとともにフラットバンド電圧がシフトするのを抑制することを可能にする。【解決手段】 半導体基板2上に設けられた酸素を含む高誘電体からなるゲート絶縁膜4と、ゲート絶縁膜上に設けられ、酸素を含む電気伝導体からなる電気伝導体膜6と、電気伝導体膜上に設けられたゲート電極8と、を備えている。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けられた酸素を含む高誘電体からなるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられ、酸素を含む電気伝導体からなる電気伝導体膜と、 前記電気伝導体膜上に設けられたゲート電極と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (4)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G

F-Term (59)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD55 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF18 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA04 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF24 ,  5F140BF38 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第6,013,553号明細書
  
• 米国特許第6,020,243号明細書
  

Cited by examiner (6)

• 非平坦性の影響を最小限にするトランジスタ金属ゲート構造および製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-550282   Applicant：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-090166   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-135749   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-008301   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-097079   Applicant：富士通株式会社
• リチウム電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-244039   Applicant：京セラ株式会社