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J-GLOBAL ID：200903011900061789

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
漆原 健二

About 漆原 健二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004121551
Publication number (International publication number)：2005109434
Application date： Apr. 16, 2004
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：
【課題】 半導体素子を大型化したとき、半導体装置の放熱性を向上させる。【解決手段】 本発明にかかる半導体装置は、同一面側に正負一対の電極を有する半導体素子と、該電極が導電部材105を介して対向される導体配線108、109を有する支持基板103と、を有する半導体装置において、導体配線108、109は、支持基板103の主面に垂直な方向から見て、電極の何れか一方の電極に接合する導電部材105を有する第一の領域と、該第一の領域の少なくとも一部を包囲し他方の電極に接合する導電部材105を有する第二の領域とを有することを特徴とする。また、第一の領域内で導電部材105が載置されている領域は、第二の領域内で導電部材105が載置されている領域より広い。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
同一面側に正負一対の電極を有する半導体素子と、該半導体素子の各電極が対向され導電部材を介して接合される導体配線を有する支持基板と、を有する半導体装置において、 前記導体配線は、前記支持基板の主面に垂直な方向から見て、前記半導体素子の電極の何れか一方の電極に接合する導電部材を有する第一の領域と、該第一の領域の少なくとも一部を包囲し前記半導体素子の他方の電極に接合する導電部材を有する第二の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (1)：
H01L33/00 N
F-Term (18)：
5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA32 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 多数チップ半導体LEDアセンブリ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-139659   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
  • 配線基板及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-053907   Applicant：ソニー株式会社
Cited by examiner (8)
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