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J-GLOBAL ID:200903097904020787

中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006070678
Publication number (International publication number):2007246321
Application date: Mar. 15, 2006
Publication date: Sep. 27, 2007
Summary:
【課題】 低熱膨張セラミックス部材の接合不良を解消し、気密性に優れた中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体を提供することを目的とする。【解決手段】 低熱膨張セラミックス部材の接合面同士が、該部材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックス接合材からなる接合層を介して接合されてなる中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体であって、前記接合層は、接合面に垂直な方向に5〜60μmの厚みtを有し、一方の接合面に隣接する側壁面と他方の接合面に隣接する平面で形成される、中空部に面した角隅部が凹状曲面の接合材メニスカスにより被覆されており、前記側壁面の角縁部から接合材メニスカス面上の最短部までの距離δと接合材厚みtとの比δ/tが0.5以上5.0以下となっている。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
低熱膨張セラミックス部材の接合面同士が、該部材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックス接合材からなる接合層を介して接合されてなる中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体であって、前記接合層は接合面に垂直な方向に5〜60μmの厚みtを有しており、かつ、一方の接合面に隣接する側壁面と他方の接合面に隣接する平面で形成される、中空部に面した角隅部が凹状曲面の接合材メニスカスにより被覆されており、かつ、前記側壁面の角縁部から接合材メニスカス面上の最短部までの距離δと、接合層厚みtとの比δ/tが0.5以上5.0以下であることを特徴とする中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体。
IPC (2):
C04B 37/00 ,  H01L 21/683
FI (2):
C04B37/00 C ,  H01L21/68 N
F-Term (14):
4G026BA02 ,  4G026BA14 ,  4G026BB02 ,  4G026BB14 ,  4G026BE04 ,  4G026BF04 ,  4G026BF06 ,  4G026BG02 ,  4G026BG27 ,  4G026BH06 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031NA05 ,  5F031PA26
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (4)
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