複素誘電率測定装置および複素誘電率測定方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鷲田公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006086702
Publication number (International publication number)：2007263625
Application date： Mar. 27, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：

【課題】複雑な測定器具を必要とすることなく、小型かつ構造が単純な測定フィクスチャを用いて、薄い材料の複素誘電率をマイクロ波領域において高精度に測定すること。【解決手段】フィクスチャ110は、外部導体115の内径(φ=7mm)にぴったり収まる導電性ピストン117を有する上部セクション111と、先端が平らな導電性の固定ピン123(φ=3mm)を有する下部セクション113とからなる。ピストン117は、先端が平らであり、マイクロメータスピンドル119により所定の分解能(0.5μm)で出し入れ可能である。ピン123の先端は、外部導体125の終端面よりもわずかに(100〜200μm程度)突き出ている。試料1は、ピストン117とピン123の間に挿入される。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

測定する試料が内部に配置されるフィクスチャと、前記フィクスチャに電磁波を入力し、前記電磁波の入力に応答して前記フィクスチャから出力された電磁波を測定する電磁波生成解析手段と、前記電磁波生成解析手段の測定結果に基づいて、前記試料の複素誘電率を算出する演算処理手段と、を有し、前記フィクスチャは、前記試料が載置される第1中心導体と、前記第1中心導体の側面に対向して配置された第1外部導体と、前記第1中心導体の終端面に対向しかつ軸方向に移動可能に配置される第2中心導体と、前記第2中心導体を内部に収容し、前記第1外部導体の終端面と離接可能に接触する第2外部導体と、を有し、前記試料は、前記第1中心導体と前記第2中心導体の間に接触配置される、複素誘電率測定装置。

IPC (2)：

G01N 22/00 , G01R 27/26

FI (3)：

G01N22/00 Y , G01N22/00 F , G01R27/26 H

F-Term (6)：

2G028BB05 , 2G028BC01 , 2G028BC03 , 2G028CG09 , 2G028DH14 , 2G028FK01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

誘電体の複素誘電率の測定方法及び測定装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-059742 Applicant：TDK株式会社
電磁気的物性値の測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-361085 Applicant：京セラ株式会社

Cited by examiner (8)

誘電率または透磁率の測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-141940 Applicant：島田悠紀
粉体の誘電体の比誘電率の測定方法、それに用いる空洞共振器及びその適用装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-078519 Applicant：TDK株式会社
半同軸共振器型測定治具及び誘電体薄膜の電気的物性値測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-312166 Applicant：京セラ株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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