III族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002088177
Publication number (International publication number)：2002299685
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】デバイス層の表面特性を向上するために、III族窒化物発光デバイスの基板と活性領域の間に、インジウムを含む平滑構造を形成する。【解決手段】いくつかの実施形態において、平滑構造は、典型的にはインジウムを含有しないスペーサ層によって活性領域から分離された単一の層であある。平滑層は、活性領域より低いインジウム組成を含み、典型的には、活性領域より高い温度で沈積される。スペーサ層は、典型的には、反応器内の温度を平滑層沈積温度から活性領域沈積温度へ低下させる間に沈積される。他の実施形態においては、表面特性を向上させるために、勾配がつけられた平滑領域が用いられる。平滑領域は、勾配がつけられた組成、勾配がつけられたドープ剤濃度、及びその両方を有することができる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上に重なるn型領域と、前記n型領域の上に重なる活性領域と、インジウムを含み、前記基板と前記活性領域との間に配置される勾配平滑領域と、を含み、前記勾配平滑領域は、単調に勾配付けられた組成を含む、ことを特徴とするIII族窒化物発光デバイス。

F-Term (18)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA43 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA54 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F041CA60 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA71 , 5F041FF01 , 5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

GaN系の半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-065880 Applicant：豊田合成株式会社
化合物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-202772 Applicant：株式会社東芝
p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-005231 Applicant：日本電気株式会社

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