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J-GLOBAL ID：201002285763396603   Reference number：10A0761715

Structure and electrical properties of a-C:H thin films deposited by RF sputtering

高周波スパッタリングによって蒸着したa-C:H薄膜の構造と電気特性

Author (3)： YAMAZATO M. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN) ,  MIZUMA I. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN) ,  HIGA A. (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of the Ryukyus, 1, Senbaru, Nishihara, Okinawa 903-0213, JPN)
Material： Diamond and Related Materials  (Diam Relat Mater)
Volume： 19  Issue： 7-9  Page： 695-698  Publication year： Jul. 2010 
JST Material Number： W0498A  ISSN： 0925-9635  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *glassy carbon ,  hydrogenation ,  *thin film ,  film production ,  magnetron sputtering ,  micro structure ,  electrical property ,  concentration dependence ,  band gap ,  electric resistance ,  permittivity ,  reaction control

JST classification (2)： Carbon and its compounds  (YB02060D) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (4)： 高周波スパッタリング ,  蒸着 ,  薄膜 ,  電気特性