半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：棚井澄雄 , 高橋詔男 , 大房直樹 , 大浪一徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009090456
Publication number (International publication number)：2010245196
Application date： Apr. 02, 2009
Publication date： Oct. 28, 2010
Summary：

【課題】ウェル電位固定用のウェル給電用素子を設ける際に、縦型MOSトランジスタ間に素子分離用の埋込絶縁層を必要とせず、素子分離用の埋込絶縁層の形成に必要な面積を削減して、半導体装置の高集積化を図る。【解決手段】半導体基板1に形成された第1導電型のウェル2内に、ウェル給電用素子Xと縦型MOSトランジスタYとが備えられ、ウェル給電用素子Xは、ウェル2と同じ導電型のボディ領域からなるピラー部P1を有し、ピラー部P1の上部には、第1導電型のウェル2の濃度よりも高い濃度を有する第1導電型の第1不純物拡散層13を備え、縦型MOSトランジスタYは、ウェル2と同じ導電型のボディ領域からなるピラー部P2を有し、かつ縦型MOSトランジスタYのピラー部P2の上部には、第2導電型の第2不純物拡散層7を備えることを特徴とする半導体装置を採用する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された第1導電型のウェル内に、ウェル給電用素子と縦型MOSトランジスタとが備えられ、前記ウェル給電用素子は、前記ウェルと同じ導電型のボディ領域からなるピラー部を有し、前記ピラー部の上部には、第1導電型の前記ウェルの濃度よりも高い濃度を有する第1導電型の第1不純物拡散層を備え、前記縦型MOSトランジスタは、前記ウェルと同じ導電型のボディ領域からなるピラー部を有し、かつ前記縦型MOSトランジスタの前記ピラー部の上部には、第2導電型の第2不純物拡散層を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/76

FI (6)：

H01L29/78 301X , H01L29/78 653D , H01L29/78 626B , H01L29/78 626A , H01L29/78 653B , H01L21/76 L

F-Term (63)：

5F032AA03 , 5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AB03 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032DA43 , 5F110AA04 , 5F110AA15 , 5F110BB04 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE24 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG60 , 5F110HJ13 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL08 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110QQ19 , 5F140AA39 , 5F140AC01 , 5F140AC23 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB04 , 5F140BC06 , 5F140BC15 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BF43 , 5F140BF54 , 5F140BF60 , 5F140BG38 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ07 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CE07 , 5F140CE20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-150284 Applicant：エルピーダメモリ株式会社
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-008656 Applicant：日産自動車株式会社
半導体素子及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-338170 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page