半導体素子

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：三好秀和 , 寺山啓進 , 三好広之 , 伊藤市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008269073
Publication number (International publication number)：2010056504
Application date： Oct. 17, 2008
Publication date： Mar. 11, 2010
Summary：

【課題】半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有する半導体素子を提供する。【解決手段】GaN半導体1上に有機物電極2が形成されており、有機物電極2の上にはAu膜3が形成されている。GaN半導体1の裏面には有機物電極2に対向するように、Ti膜4とAu膜5の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極2とGaN半導体1との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

IV族半導体、III-V族半導体又はIII族窒化物半導体のいずれかの半導体に接して有機物電極が形成され、前記半導体と有機物電極との間で整流特性を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (2)：

H01L31/10 H , H01L31/10 E

F-Term (23)：

5F049MA02 , 5F049MA03 , 5F049MA04 , 5F049MA05 , 5F049MA14 , 5F049MA20 , 5F049MB01 , 5F049MB02 , 5F049MB03 , 5F049MB07 , 5F049NA20 , 5F049QA03 , 5F049QA09 , 5F049QA20 , 5F049SE02 , 5F049SE05 , 5F049SE06 , 5F049SE09 , 5F049SE12 , 5F049SS01 , 5F049WA01 , 5F049WA05 , 5F049WA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

縦型トランジスタおよび発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-092273 Applicant：株式会社リコー
電極システムの製造方法、これから製造される電極システム及びこれを含む電気素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2005-518286 Applicant：エルジー・ケム・リミテッド
表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-242049 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (9)

ダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-080153 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-178111 Applicant：シャープ株式会社
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-235252 Applicant：三洋電機株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Schottky contact on a ZnO (0001) single crystal with conducting polymer"

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