基板を精密加工するための方法およびその使用

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人みのり特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009552125
Publication number (International publication number)：2010525554
Application date： Mar. 06, 2008
Publication date： Jul. 22, 2010
Summary：

本発明は、基板を精密加工するための方法に関し、特に、薄層の微細構造の形成、局所的なドーパント導入および金属核形成層の局所的な形成のための方法であって、液体補助レーザー法を実行する、すなわち、適切な反応性液体によって加工される領域が覆われた基板にレーザー照射を行う方法に関する。

Claim (excerpt)：

基板を精密加工するための方法であって、レーザービームを基板表面に向け、基板の加工される領域上に誘導し、プロセス用試薬を含む液体によって、基板の加工される領域を少なくとも覆うようにすることを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01L 21/268 , H01L 21/22 , H01L 31/04 , H01L 21/306

FI (4)：

H01L21/268 E , H01L21/22 E , H01L31/04 A , H01L21/306 E

F-Term (10)：

5F043AA31 , 5F043AA35 , 5F043AA37 , 5F043BB22 , 5F043BB23 , 5F043BB25 , 5F043DD08 , 5F051CB18 , 5F051CB24 , 5F051FA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

エッチングおよびドーピング複合物質
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-537127 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
特開昭59-232260
半導体装置、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-085322 Applicant：富士電機株式会社

特開昭60-149782

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Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-520312 Applicant：アイピーユーインスティチューティトフォープロダクテゥドヴィクリング, エンソーネ-オーエムイー(ベネルクス)ベーヴェー, ビーピーソーラーリミテッド

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Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-551723 Applicant：フラオンホファー-ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファオ, アルベルト-ルートヴィヒ-ウニヴェルズィテート・フライブルク

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Laser-induced selective deposition of Ni-P alloy on silicon

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