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J-GLOBAL ID：201003014728107720

基板を精密加工するための方法およびその使用

Inventor： マイヤー,クーノ ,  アレマン,モニカ ,  クレイ,ダニエル ,  グルンツ,シュテファン ,  メッテー,アンスガール ,  プロイ,ラルフ ,  グローエ,アンドレアス
Applicant, Patent owner： フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ ,  アルベルト-ルートヴィヒス-ウニヴェルズィテート フライブルク
Agent (1)： 特許業務法人みのり特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009552125
Publication number (International publication number)：2010525554
Application date： Mar. 06, 2008
Publication date： Jul. 22, 2010
Summary：

本発明は、基板を精密加工するための方法に関し、特に、薄層の微細構造の形成、局所的なドーパント導入および金属核形成層の局所的な形成のための方法であって、液体補助レーザー法を実行する、すなわち、適切な反応性液体によって加工される領域が覆われた基板にレーザー照射を行う方法に関する。

Claim (excerpt)：

基板を精密加工するための方法であって、 レーザービームを基板表面に向け、基板の加工される領域上に誘導し、 プロセス用試薬を含む液体によって、基板の加工される領域を少なくとも覆うようにすることを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/22 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/306

FI (4)：

H01L21/268 E ,  H01L21/22 E ,  H01L31/04 A ,  H01L21/306 E

F-Term (10)：

5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043AA37 ,  5F043BB22 ,  5F043BB23 ,  5F043BB25 ,  5F043DD08 ,  5F051CB18 ,  5F051CB24 ,  5F051FA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• エッチングおよびドーピング複合物質
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-537127   Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
• 特開昭59-232260
  
• 半導体装置、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-085322   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭60-149782
  
• 埋めこみグリッド太陽電池の金属接点の堆積方法及び当該方法により得られる太陽電池
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-520312   Applicant：アイピーユーインスティチューティトフォープロダクテゥドヴィクリング, エンソーネ-オーエムイー(ベネルクス)ベーヴェー, ビーピーソーラーリミテッド
• 特許第6429037号
  
• レーザードーピング処理方法及び薄膜トランジスタの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-321619   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 熱電半導体の部分メッキ膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-031301   Applicant：アイシン精機株式会社
• 基板を精密加工するための方法および装置ならびにその使用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-551723   Applicant：フラオンホファー-ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファオ, アルベルト-ルートヴィヒ-ウニヴェルズィテート・フライブルク

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Laser-induced selective deposition of Ni-P alloy on silicon