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J-GLOBAL ID:201003024497402312
プラズマ発生装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (3):
中里 浩一
, 川崎 仁
, 三嶋 景治
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2010500242
Publication number (International publication number):2010525155
Application date: Mar. 21, 2008
Publication date: Jul. 22, 2010
Summary:
【課題】 【解決手段】 本発明は、壁(2)を備える真空チャンバ(1)と、一つ以上のプラズマ励起装置(6)及び電子サイクロトロン共鳴においてマイクロ波エネルギーをプラズマに結合するためにプラズマを巡って定磁界を発生させる手段を備えるプラズマ源(5)とを備えるプラズマ発生装置に関し、前記プラズマ励起装置(6)のそれぞれはマイクロ波エネルギー源に接続可能な同軸マイクロ波コネクタ(7)と、プラズマを励起するマイクロ波エネルギーを発することができるループアンテナ(9)とを備える。発明によれば、一つ以上のプラズマ励起装置(6)のループアンテナ(9)はプラズマに接触するために真空チャンバ(1)内部に配置され、定磁界発生手段は真空チャンバ(1)の壁に配置された少なくとも二つの磁気双極子(10)を備え、前記一つ以上のプラズマ励起装置(6)のそれぞれの両側には前記二つの磁気双極子(10)が配置される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
外面(3)と内面(4)を有する壁(2)を備える真空チャンバ(1)と、
プラズマ源(5)と
を備えるプラズマ発生装置において、
前記プラズマ源(5)は、
それぞれがマイクロ波エネルギー源に接続可能な同軸マイクロ波コネクタ(7)及びプラズマを励起するマイクロ波エネルギーを発することができるループアンテナ(9)を備える一つ以上のプラズマ励起装置(6)と、
電子サイクロトロン共鳴においてマイクロ波エネルギーをプラズマに結合するためにプラズマを巡って定磁界を発生させる手段と
を備える
プラズマ発生装置であって、
前記プラズマ励起装置(6)の前記同軸マイクロ波コネクタ(7)は、一方の側では前記ループアンテナ(9)に接続され、他方の側では同軸線路を介して前記マイクロ波エネルギー源に直接接続可能であり、
前記一つ以上のプラズマ励起装置(6)の前記ループアンテナ(9)はプラズマに接触するために前記真空チャンバ(1)内部に配置され、
前記定磁界発生手段は前記真空チャンバ(1)の前記外壁面(3)に配置された少なくとも二つの磁気双極子(10)を備え、前記一つ以上のプラズマ励起装置(6)のそれぞれの両側には前記二つの磁気双極子(10)が配置される
ことを特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (3):
C23C 16/511
, H05H 1/46
, H01L 21/306
FI (3):
C23C16/511
, H05H1/46 C
, H01L21/302 101D
F-Term (15):
4K030BA30
, 4K030FA01
, 4K030KA01
, 4K030LA16
, 5F004AA16
, 5F004BA14
, 5F004BB07
, 5F004BB14
, 5F004BB29
, 5F004BD03
, 5F004BD04
, 5F004DB01
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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高周波負イオン源
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-213708
Applicant:株式会社東芝
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特開平3-053065
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マグネトロンスパッタリング成膜装置及び方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-010674
Applicant:株式会社東芝
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規則的なマイクロ波の場を発生させる装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-331383
Applicant:レイボルトアクチーエンゲゼルシヤフト
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RF・ECRプラズマエッチング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-029613
Applicant:日本電気株式会社
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-250254
Applicant:富士通株式会社
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プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-109408
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平3-053065
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特開平2-295052
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成膜方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-003100
Applicant:日新電機株式会社
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-122978
Applicant:日本電気株式会社, 日本高周波株式会社, 日電アネルバ株式会社
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プラズマ発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-028605
Applicant:松下電器産業株式会社
-
薄膜形成方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-261932
Applicant:日新電機株式会社
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