Pat
J-GLOBAL ID：201003040303293807

化学増幅型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法

Inventor：
市川 幸司

About 市川 幸司

, 
杉原 昌子

About 杉原 昌子

, 
釜淵 明

About 釜淵 明


Applicant, Patent owner：
住友化学株式会社

About 住友化学株式会社


Agent (1)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010045471
Publication number (International publication number)：2010237656
Application date： Mar. 02, 2010
Publication date： Oct. 21, 2010
Summary：
【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネスを有し、かつパターン倒れが発生しないパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】酸発生剤(A)と樹脂(B)とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、前記樹脂(B)が、少なくとも(b1)酸の作用によりカルボキシル基を生じてアルカリ現像液に可溶となる構造単位、(b2)-OXa基(Xaは、酸の作用により脱離し得る基を表す。)を少なくとも2つ有するアダマンチル基を含有する構造単位、及び(b3)ラクトン環を有するモノマーから導かれる構造単位を含んでなる化学増幅型フォトレジスト組成物。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
酸発生剤(A)と樹脂(B)とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、 前記樹脂(B)が、少なくとも (b1)酸の作用によりカルボキシル基を生じてアルカリ現像液に可溶となる構造単位、 (b2)-OXa基(Xaは、酸の作用により脱離し得る基を表す。)を少なくとも2つ有するアダマンチル基を含有する構造単位、及び (b3)ラクトン環を有するモノマーから導かれる構造単位を含んでなることを特徴とする化学増幅型フォトレジスト組成物。
IPC (4)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28
FI (5)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/28
F-Term (41)：
2H125AF17P ,  2H125AF19P ,  2H125AF21P ,  2H125AF36P ,  2H125AF37P ,  2H125AF70P ,  2H125AH13 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN64P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15R ,  4J100BA20Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC23P ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM