半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山田卓二 , 田中光雄 , 中野晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009090776
Publication number (International publication number)：2010245212
Application date： Apr. 03, 2009
Publication date： Oct. 28, 2010
Summary：

【課題】リード部材と半導体素子との間の半田接合部の厚みが均一で、温度サイクルに対する信頼性が高く、安価に製造が可能な電力用の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置100は、表面と裏面とを有する絶縁基板1と、絶縁基板1の表面に設けられ、互いに電気的に絶縁された第1導体パターン2および第2導体パターン12と、表面電極と裏面電極とを有し、かつ裏面電極が第1導体パターン2に第1はんだ部材3で接続された半導体素子4と、半導体素子4の表面電極に第2はんだ部材13で接続された板状のリード部材10とを含み、リード部材10と絶縁基板1の表面とが平行になるように、リード部材10は第2導体パターン12にも接続されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

リード部材が接続された半導体素子を有する半導体装置であって、表面と裏面とを有する絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けられ、互いに電気的に絶縁された第1導体パターンおよび第2導体パターンと、表面電極と裏面電極とを有し、該裏面電極が該第1導体パターンに第1はんだ部材で接続された半導体素子と、該半導体素子の該表面電極に第2はんだ部材で接続された板状のリード部材とを含み、該リード部材と該絶縁基板の表面とが平行になるように、該リード部材が該第2導体パターンにも接続されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 , H01L 23/48

FI (2)：

H01L21/60 321E , H01L23/48 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

パワー半導体モジュール及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-253902 Applicant：富士電機株式会社
上部電極、パワーモジュール、および上部電極のはんだ付け方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-294846 Applicant：トヨタ自動車株式会社
特開昭55-053434

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