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J-GLOBAL ID：201003088592697441

成膜方法及び成膜装置

Inventor：
松永 正信

About 松永 正信

, 
野寺 伸武

About 野寺 伸武

, 
長谷部 一秀

About 長谷部 一秀


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008259142
Publication number (International publication number)：2010090413
Application date： Oct. 04, 2008
Publication date： Apr. 22, 2010
Summary：
【課題】原料ガスを間欠的に供給する際に、安全性を維持しつつ多量の原料ガスを処理容器内へ供給することができ、この結果、成膜レートを向上できるのみならず、膜中における原料ガスに含まれる元素の濃度をコントロールして、例えばこの元素濃度を高くすることが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内で被処理体Wの表面に薄膜を形成する成膜方法において、処理容器4内へ原料ガスを、間に間欠期間を挟んで複数回供給して原料ガスを被処理体Wの表面に吸着させる吸着工程と、処理容器4内へ反応ガスを供給して被処理体Wの表面に吸着している原料ガスと反応させて薄膜を形成する反応工程とを交互に複数回繰り返し行うようにする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内で前記被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、 前記処理容器内へ原料ガスを、間に間欠期間を挟んで複数回供給して前記原料ガスを前記被処理体の表面に吸着させる吸着工程と、 前記処理容器内へ反応ガスを供給して前記被処理体の表面に吸着している前記原料ガスと反応させて前記薄膜を形成する反応工程とを交互に複数回繰り返し行うようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (4)：
C23C 16/455 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316
FI (5)：
C23C16/455 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  H01L21/316 X
F-Term (58)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB04 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (3)

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