Pat
J-GLOBAL ID：201003090080310965

半導体装置及びその作製方法

Inventor：
秋元 健吾

About 秋元 健吾

, 
佐々木 俊成

About 佐々木 俊成


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009249031
Publication number (International publication number)：2010135766
Application date： Oct. 29, 2009
Publication date： Jun. 17, 2010
Summary：
【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高く、膜厚が薄い半導体層を形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に半導体層と、前記半導体層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層とを有し、 前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、 前記半導体層の膜厚は、前記酸化物半導体層の膜厚より薄く、 前記半導体層の導電率は、前記酸化物半導体層の導電率より高く、 前記酸化物半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
IPC (8)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (13)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 A ,  H01L21/88 R ,  H01L21/28 301B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
F-Term (156)：
2H092HA14 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC42 ,  3K107EE04 ,  3K107FF04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107GG28 ,  3K107HH05 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD63 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  5F033GG03 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033WW06 ,  5F033XX16 ,  5F033XX27 ,  5F033XX35 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM