薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、X線センサー及びX線デジタル撮影装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：中島淳 , 加藤和詳 , 福田浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010114674
Publication number (International publication number)：2011243745
Application date： May. 18, 2010
Publication date： Dec. 01, 2011
Summary：

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを製造する際に熱処理による電気特性のバラツキが抑制され、特に大面積のデバイスの作製に適した薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に、酸化物半導体層12と、ソース電極13と、ドレイン電極14と、ゲート絶縁膜15と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを製造する方法であって、隣接する層の組成が異なる3層以上の積層構造を有し、かつ、ゲート電極に最も近い側に配置された層12Cとゲート電極から最も遠い側に配置された層12Aとの間に、ゲート電極に最も近い側に配置された層及びゲート電極から最も遠い側に配置された層よりも比抵抗が小さい低抵抗層12Cが少なくとも1層存在する酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層を形成した後、熱処理する工程と、を含む薄膜トランジスタ1の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを製造する方法であって、隣接する層の組成が異なる3層以上の積層構造を有し、かつ、前記ゲート電極に最も近い側に配置された層と前記ゲート電極から最も遠い側に配置された層との間に、前記ゲート電極に最も近い側に配置された層及び前記ゲート電極から最も遠い側に配置された層よりも比抵抗が小さい低抵抗層が少なくとも1層存在する酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層を形成した後、熱処理する工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/146 , H01L 27/14

FI (6)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 618Z , H01L27/14 C , H01L27/14 K , H01L29/78 627F

F-Term (58)：

4M118AA04 , 4M118AB01 , 4M118CB05 , 4M118FB03 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB23 , 4M118GA10 , 5F110AA09 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN72 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-159841 Applicant：富士フイルム株式会社
表示基板およびこれを含む表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-000313 Applicant：三星電子株式会社
薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-046233 Applicant：三星モバイルディスプレイ株式會社

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Cited by examiner (10)

薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-159841 Applicant：富士フイルム株式会社
表示基板およびこれを含む表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-000313 Applicant：三星電子株式会社
薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-046233 Applicant：三星モバイルディスプレイ株式會社

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