集積回路および集積回路の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：河村洌 , 藤森洋介 , 谷征史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010250254
Publication number (International publication number)：2011101020
Application date： Nov. 08, 2010
Publication date： May. 19, 2011
Summary：

【課題】トランジスタのゲート電極上に第1の誘電体層を形成し、かつ金属層と接合したダマシン構造を形成する方法を提供する。【解決手段】トランジスタのゲート電極上に第1の誘電体層を形成し、第1の誘電体層上にエッチストップ層を形成し、第1の誘電体層およびエッチストップ層を貫通する開口を形成し、トランジスタのソース/ドレイン(S/D)領域を露出し、開口内に、エッチストップ層の第1の上面と少なくとも部分的に実質的に同じ高さである表面を有する金属層を形成して、トランジスタのS/D領域に接触させ、さらに金属層と接合したダマシン構造を形成する。【選択図】図1H

Claim (excerpt)：

集積回路を製造する方法であって、前記方法は、トランジスタのゲート電極上に第1の誘電体層を形成するステップ、前記第1の誘電体層上にエッチストップ層を形成するステップ、前記第1の誘電体層および前記エッチストップ層を貫通する開口を形成するステップ、前記トランジスタのソース/ドレイン(S/D)領域を露出させるステップ、前記開口内に、前記エッチストップ層の第1の上面と少なくとも部分的に実質的に同じ高さである表面を有する金属層を形成して、前記トランジスタの前記ソース/ドレイン領域に接触するステップ、および前記金属層と接合したダマシン構造を形成するステップを含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L21/90 D , H01L29/78 301X

F-Term (88)：

5F033GG00 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ25 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM04 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR02 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS07 , 5F033SS08 , 5F033SS10 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033XX03 , 5F033XX31 , 5F140AA10 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA09 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BJ08 , 5F140BJ09 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ18 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK26 , 5F140CC01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC05 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC13 , 5F140CC15 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-017972 Applicant：富士通株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-179519 Applicant：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-081415 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page