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J-GLOBAL ID：201103042256015917

銅表面上への選択的コバルト堆積

Inventor： ユ, サン-ホ ,  モラエス, ケヴィン ,  ガングリ, セシャドリ ,  チュン, フア ,  ファン, シー-エング
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (2)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2011507595
Publication number (International publication number)：2011524078
Application date： Apr. 29, 2009
Publication date： Aug. 25, 2011
Summary：

本発明の実施形態は、露出誘電表面を覆う銅表面上にコバルト層を選択的に形成するプロセスを提供する。一実施形態では、前処理プロセスの間に金属銅表面を形成している間は処理チャンバー内の基板の汚染された銅表面を還元剤にさらすステップと、気相堆積プロセスの間に基板上の誘電表面を露出したままにしながら金属銅表面を覆ってまたは上にコバルトキャッピング層を選択的に形成するために基板をコバルト前駆体ガスにさらすステップと、コバルトキャッピング層および誘電表面を覆ってまたは上に誘電障壁層を堆積させるステップとを包含する、基板上の銅表面をキャッピングするための方法が、提供される。別の実施形態では、堆積-処理サイクルは、気相堆積プロセスを実行した後に後処理プロセスを実行するステップを包含し、その堆積-処理サイクルは、複数のコバルトキャッピング層を形成するために繰り返されてもよい。

Claim (excerpt)：

基板上の銅表面をキャッピングするための方法であって、 汚染された銅表面および誘電表面を含む基板を処理チャンバー内に位置決めするステップと、 前処理プロセスの間に金属銅表面を形成している間に前記汚染された銅表面を還元剤にさらすステップと、 気相堆積プロセスの間に前記誘電表面を露出したままにしながら前記金属銅表面上にコバルトキャッピング層を選択的に形成するために前記基板をコバルト前駆体ガスにさらすステップと、 前記コバルトキャッピング層および前記誘電表面の上に誘電障壁層を堆積させるステップと を含む方法。

IPC (4)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285

FI (3)：

H01L21/88 R ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 C

F-Term (62)：

4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030AA17 ,  4K030BA05 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD47 ,  4M104DD77 ,  4M104DD81 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104HH05 ,  4M104HH12 ,  5F033GG03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033PP14 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-308529   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-526621   Applicant：ラムリサーチコーポレーション
• コバルト含有材料を形成するプロセス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-505599   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-216248   Applicant：台湾積體電路製造股ふん有限公司
• 半導体装置の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-004669   Applicant：松下電器産業株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-194394   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 無電解堆積のエンドポイントを検出するための装置および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-527044   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド