酸化亜鉛薄膜の成膜方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2002233563
Publication number (International publication number)：2004076025
Patent number：4538577
Application date： Aug. 09, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Claim (excerpt)：

【請求項1】イオンプレーティング法による酸化亜鉛薄膜の成膜方法であって、成膜室中に陽極として配置されたハースに酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料を配置し、該ハースの周囲に配した磁場制御部材により該ハースに近接した上方の磁界を制御し、該蒸着材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームを供給して蒸着物質を蒸発させてイオン化し、該蒸着材料と対向して配置された基板の表面に該蒸着物質を付着させ、前記ハースが前記成膜室を基準として+29.3〜+60Vの電位となるように電圧を印加することによって、室温で測定したフォトルミネッセンススペクトルにおいてバンド端発光のピークから300meV以上の深い準位にピークを示さない薄膜を得ることを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法。

IPC (2)：

C23C 14/08 ( 200 6.01) , C23C 14/32 ( 200 6.01)

FI (2)：

C23C 14/08 C , C23C 14/32 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-041888 Applicant：株式会社村田製作所
ZnO結晶、その成長方法および光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-102973 Applicant：スタンレー電気株式会社
成膜方法
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透明導電膜の製造方法
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成膜方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-008806 Applicant：住友重機械工業株式会社

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