セラミックス膜の製造方法、強誘電体素子及び電子部品

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順 , 大宅一宏 , 飯野智史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009239488
Publication number (International publication number)：2011086819
Application date： Oct. 16, 2009
Publication date： Apr. 28, 2011
Summary：

【課題】特定方向に優先配向したセラミックス膜を低温で形成することが可能なセラミックス膜の製造方法を提供する。【解決手段】PbZrxTi1-xO3(式中、xは0〜0.6である)の前駆体溶液を基板1に塗布した後、300°C以下の温度で乾燥させて前駆体膜を形成する工程と、前記前駆体膜中の2価の鉛イオン(Pb2+)を0価の鉛(Pb0)に還元してパイロクロア相の生成を抑制した後、酸化性雰囲気中で低温焼成してペロブスカイト相を生成させる工程とを含むことを特徴とするセラミックス膜3の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

PbZrxTi1-xO3(式中、xは0〜0.6である)の前駆体溶液を基板に塗布した後、300°C以下の温度で乾燥させて前駆体膜を形成する工程と、前記前駆体膜中の2価の鉛イオン(Pb2+)を0価の鉛(Pb0)に還元してパイロクロア相の生成を抑制した後、酸化性雰囲気中で低温焼成してペロブスカイト相を生成させる工程とを含むことを特徴とするセラミックス膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/316 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 41/187 , H01L 41/24 , C04B 35/49

FI (6)：

H01L21/316 G , H01L27/10 444C , H01L41/18 101D , H01L41/22 A , H01L21/316 B , C04B35/49 A

F-Term (19)：

4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA32 , 4G031BA10 , 4G031CA08 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BJ04 , 5F083FR01 , 5F083GA21 , 5F083GA29 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083PR23 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

原料溶液、強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-295200 Applicant：セイコーエプソン株式会社
セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-063169 Applicant：セイコーエプソン株式会社
誘電体膜の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法、誘電体膜、圧電体素子、及び液体噴射装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-056096 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Effect of pyrolysis temperature on the characteristics of PZT films deposited by the sol-gel method

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