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J-GLOBAL ID：201103052563565415

微細構造形成実験方法

Inventor： 芦田 極 ,  森田 昇 ,  川堰 宣隆 ,  廖 国新
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2005319845
Publication number (International publication number)：2006128706
Patent number：4359696
Application date： Nov. 02, 2005
Publication date： May. 18, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】 単結晶シリコン材料表面にエッチングマスクとして機能する微細構造表面を、摩擦力顕微鏡機構を用いた微細加工により形成し、その後エッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解して、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工法における、加工条件に関する基礎的データを収集するための実験を行う際に、 前記微細構造形成部分に近接して前記エッチングによる除去が全くなされない基準面を予め形成し、 前記基準面を参照して前記エッチングマスクとして機能する微細構造表面部分、及び前記エッチング液を用いて溶解するマスク以外の部分のエッチングレートを測定することを特徴とする微細構造形成実験方法。

IPC (1)：

H01L 21/306 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 21/306 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 微細構造作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-293751   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• シリコン微細加工方法と該方法を用いて製造した表面性状制御多目的シリコン基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-188781   Applicant：学校法人早稲田大学, 日本学術振興会
• 微細パターニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-251338   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 被加工基板の湿式エッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-063242   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 摩擦力顕微鏡を用いた微細機械加工とエッチングの併用によるマスクレスパターン形成