半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009167742
Publication number (International publication number)：2011023576
Application date： Jul. 16, 2009
Publication date： Feb. 03, 2011
Summary：

【課題】成膜温度を低下させ、成膜速度を増大させる。【解決手段】基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板上に形成したシリコン含有及びボロン含有膜をボロン及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して前記基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した前記処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記基板上に形成した前記シリコン含有及びボロン含有膜をボロン含有及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有し、前記シリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、前記シリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を1サイクルとして前記サイクルを1回以上行う、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , C23C 16/24 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L21/316 P , C23C16/24 , H01L21/31 B

F-Term (43)：

4K030AA03 , 4K030AA20 , 4K030BA29 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030HA03 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA15 , 5F045AA20 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045BB01 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045DP19 , 5F045EE13 , 5F045EE15 , 5F045EE17 , 5F045EE19 , 5F045EE20 , 5F045HA16 , 5F045HA23 , 5F058BA04 , 5F058BA06 , 5F058BA09 , 5F058BA10 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF32 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BH03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-000974 Applicant：株式会社日立国際電気
リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-518759 Applicant：マイクロンテクノロジー,インコーポレイテッド
成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-177344 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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