単結晶ダイヤモンド上にPZT薄膜を形成する方法、PZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンド、及びPZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンドを使用したキャパシタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009265854
Publication number (International publication number)：2011113986
Application date： Nov. 24, 2009
Publication date： Jun. 09, 2011
Summary：

【課題】強誘電性を示すペロブスカイト構造のPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)薄膜をダイヤモンド単結晶上に直接成長させることが困難なため、従来技術では、酸化物薄膜(例えばAl2O3/SrTiO3連続膜)を緩衝層として用いていたが、強誘電特性は不十分であった。【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板またはエピタキシャル薄膜上にフッ化物(CaF2、BaF2、MgF2の内一つ)を緩衝層として用いることにより、抗電界を同じ大きさ(33kV/cm)に保ちながら、従来の2倍の残留分極電荷(68μC/cm2)を持つ優れた強誘電性のPZT薄膜を提供する。更に、p型ダイヤモンド(13)/フッ化物(14)/PZT(15)/金属(16)構造からなるキャパシタを提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

以下のステップ(a)及び(b)を設けたダイヤモンド単結晶上にPZT薄膜を形成する方法。 (a)ダイヤモンド単結晶表面上にCaF2、BaF2、MgF2から選ばれた少なくとも1種類のフッ化物の単層膜または多層膜を形成する。 (b)前記フッ化物の単層膜又は多層膜の上にPZT膜を形成する。

IPC (6)：

H01L 21/316 , G01Q 10/02 , G01Q 10/04 , C23C 14/08 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (5)：

H01L21/316 Y , G01N13/10 101B , G01N13/10 101E , C23C14/08 K , H01L27/04 C

F-Term (26)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA42 , 4K029BA43 , 4K029BB02 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029FA01 , 4K029GA01 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ01 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BB10 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BD18 , 5F058BF12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ダイヤモンド紫外線発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-269365 Applicant：株式会社神戸製鋼所
酸素終端(111)ダイヤモンド上におけるp型表面伝導層の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-154777 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-131516 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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