Pat
J-GLOBAL ID:200903039250177932
半導体発光装置、半導体発光装置用マウント部材および半導体発光装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001400335
Publication number (International publication number):2003198038
Application date: Dec. 28, 2001
Publication date: Jul. 11, 2003
Summary:
【要約】【課題】 半導体発光装置の寿命を長くし、信頼性を向上する。【解決手段】 半導体発光装置は、チップ基板401と前記チップ基板401の表面に窒化物系化合物半導体層を積層した積層体402とを含む半導体発光素子チップ430と、載置面を有するマウント部材410とを備え、前記半導体発光素子チップ430は、電極403を介して面接触することによって前記マウント部材410の前記載置面に接続されており、前記マウント部材410は、前記チップ基板401の材料より熱膨張係数が大きい材料を含み、前記載置面は、表面粗さのRmaxが4000Å以下であるかRaが500ÅRa以下であるかの少なくとも一方を満たす。
Claim (excerpt):
チップ基板と前記チップ基板の表面に窒化物系化合物半導体層を積層した積層体とを含む半導体発光素子チップと、載置面を有するマウント部材とを備え、前記半導体発光素子チップは、電極を介して面接触することによって前記マウント部材の前記載置面に接続されており、前記マウント部材は、前記チップ基板の材料より熱膨張係数が大きい材料を含み、前記載置面は、表面粗さのRmaxが4000Å以下であるかRaが500ÅRa以下であるかの少なくとも一方を満たす、半導体発光装置。
IPC (2):
H01S 5/022
, H01S 5/323 610
FI (2):
H01S 5/022
, H01S 5/323 610
F-Term (11):
5F073AA13
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073CA07
, 5F073CB22
, 5F073CB23
, 5F073EA28
, 5F073FA14
, 5F073FA15
, 5F073FA16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
-
発光装置およびそれを用いた光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-041361
Applicant:ソニー株式会社
-
ダイヤモンド放熱部品を備えた半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-197886
Applicant:住友電気工業株式会社
-
AlN基板およびそれを用いたレーザーダイオード素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-166770
Applicant:株式会社東芝
-
サブマウント
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-181962
Applicant:株式会社トクヤマ
-
半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-058147
Applicant:シャープ株式会社
-
窒化物半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-295939
Applicant:シャープ株式会社
-
半導体レーザアセンブリ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-103557
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-347119
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置および半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-161095
Applicant:ソニー株式会社
-
光実装基板および光モジュール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-094575
Applicant:京セラ株式会社
-
III族窒化物系化合物半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-038279
Applicant:豊田合成株式会社
-
サブマウントの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-176163
Applicant:株式会社トクヤマ
-
サブマウント材
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-118414
Applicant:株式会社東芝
Show all
Return to Previous Page