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J-GLOBAL ID：201103061952364912

パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜

Inventor：
榎本 雄一郎

About 榎本 雄一郎

, 
上村 聡

About 上村 聡

, 
樽谷 晋司

About 樽谷 晋司


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010105909
Publication number (International publication number)：2011022560
Application date： Apr. 30, 2010
Publication date： Feb. 03, 2011
Summary：
【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、フォーカス余裕度(DOF)及びパターン形状に優れるパターン形成方法、並びにこれに好適なレジスト組成物及びレジスト膜を提供する。【解決手段】(ア)化学増幅型レジスト組成物による膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、(A)酸の作用により、有機溶剤を含む現像液現像液に対する溶解度が減少する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物を含有するパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
(ア)化学増幅型レジスト組成物による膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程 を含むことを特徴とするパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、 (A)酸の作用により、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び (C)活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物 を含有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039
FI (7)：
G03F7/32 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 501 ,  G03F7/004 503A
F-Term (56)：
2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096GA18 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  2H096JA06 ,  2H125AF17P ,  2H125AF21P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH19 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ16Y ,  2H125AJ43Y ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ63Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ92Y ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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