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J-GLOBAL ID：200903090843263920

パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液

Inventor：
椿 英明

About 椿 英明

, 
漢那 慎一

About 漢那 慎一


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007325915
Publication number (International publication number)：2008292975
Application date： Dec. 18, 2007
Publication date： Dec. 04, 2008
Summary：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。【解決手段】(ア)基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、(イ)露光工程、及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
(ア)基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、 (イ)露光工程、及び (エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程 を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/30 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027
FI (6)：
G03F7/30 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/32 501 ,  H01L21/30 569F
F-Term (30)：
2H025AA02 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025AD07 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA16 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096GA09 ,  2H096GA18 ,  2H096JA08 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (6)
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