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J-GLOBAL ID：201103063256128697

有機結晶表面欠陥修復方法

Inventor： 南條 弘 ,  小松 京嗣
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 阿形 明
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2001351172
Publication number (International publication number)：2003145500
Patent number：3548804
Application date： Nov. 16, 2001
Publication date： May. 20, 2003
Claim (excerpt)：

【請求項1】表面に凹状欠陥部を有する有機結晶について、凹状欠陥部とその周辺部を、先端曲率半径1〜100nmの探針に1〜100nNの荷重を印加しながら、二次元的に走査することにより、周辺部を切削し、その切削部分を凹状欠陥部に移動させ、周辺部と同じレベルの表面を形成させることを特徴とする有機結晶表面欠陥修復方法。

IPC (5)：

B82B 3/00 ,  G02B 1/02 ,  G02B 1/04 ,  G02B 1/10 ,  G02F 1/361

FI (5)：

B82B 3/00 ,  G02B 1/02 ,  G02B 1/04 ,  G02F 1/361 ,  G02B 1/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 平滑表面をもつ有機イオン結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-284351   Applicant：工業技術院長
• 形状加工方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211642   Applicant：株式会社日立製作所
• 微細加工方法及びこの方法で加工された加工物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-328429   Applicant：藤平正道, 大日本印刷株式会社
• 記録方法および記録再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-128165   Applicant：田宮敏彦
• 研磨方法及び研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-117724   Applicant：日本油脂株式会社, 土肥俊郎
• 埋込原子細線
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-153283   Applicant：株式会社日立製作所
• 電子放出素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-235966   Applicant：キヤノン株式会社