電磁場シミュレーション方法、電磁場シミュレーション装置、半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：日向寺雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010068450
Publication number (International publication number)：2011203834
Application date： Mar. 24, 2010
Publication date： Oct. 13, 2011
Summary：

【課題】計算時間を短縮できる電磁場シミュレーション方法、電磁場シミュレーション装置、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】電磁場シミュレーション方法は、電磁波が伝播する媒質に基づいて与えられた計算領域に第1のメッシュを設定する工程と、第1のメッシュ上に割り当てられた媒質の特性値に基づいて、周波数領域解法により第1のメッシュ上での電磁場分布を算出する工程と、計算領域に第2のメッシュを設定する工程と、周波数領域解法により得た電磁場分布を、第2のメッシュに割り当てる工程と、第2のメッシュに割り当てた電磁場分布を、時間領域解法により所定の時間単位で更新する工程と、を備えた。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電磁波が伝播する媒質に基づいて与えられた計算領域に第1のメッシュを設定する工程と、前記第1のメッシュ上に割り当てられた前記媒質の特性値に基づいて、周波数領域解法により前記第1のメッシュ上での電磁場分布を算出する工程と、前記計算領域に第2のメッシュを設定する工程と、前記周波数領域解法により得た前記電磁場分布を、前記第2のメッシュに割り当てる工程と、前記第2のメッシュに割り当てた前記電磁場分布を、時間領域解法により所定の時間単位で更新する工程と、を備えたことを特徴とする電磁場シミュレーション方法。

IPC (4)：

G06F 19/00 , G06F 17/50 , H01L 21/027 , H01L 21/00

FI (4)：

G06F19/00 110 , G06F17/50 612H , H01L21/30 502G , H01L21/00

F-Term (3)：

5B046AA08 , 5F046DA02 , 5F146DA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

リソグラフィシミュレーション方法及びプログラム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-075481 Applicant：株式会社東芝
フォトニック結晶バイオセンサーの構造および製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-532214 Applicant：エスアールユーバイオシステムズ,インコーポレイテッド
電磁界解析方法及び電磁界解析プログラムを記録した記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-157493 Applicant：東洋通信機株式会社

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