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J-GLOBAL ID：201103080396781678

パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜

Inventor： 榎本 雄一郎 ,  上村 聡 ,  樽谷 晋司 ,  加藤 啓太 ,  岩戸 薫
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (2)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009285584
Publication number (International publication number)：2011100089
Application date： Dec. 16, 2009
Publication date： May. 19, 2011
Summary：

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度(DOF)が広く、線幅バラツキ(LWR)が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。【解決手段】(ア)化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、(A)実質的にアルカリ不溶性である樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)架橋剤、(D)溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(ア)化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、

IPC (6)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/10 ,  C08F 32/08

FI (7)：

G03F7/038 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/32 ,  G03F7/32 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/10 ,  C08F32/08

F-Term (88)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA18 ,  2H096JA03 ,  2H125AE03P ,  2H125AE04P ,  2H125AE05P ,  2H125AE06P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF21P ,  2H125AF26P ,  2H125AF33P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF39P ,  2H125AF45P ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM10P ,  2H125AM13P ,  2H125AM22P ,  2H125AM23P ,  2H125AM25P ,  2H125AM33P ,  2H125AM34P ,  2H125AM43P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN32P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN45P ,  2H125AN51P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN65P ,  2H125AN67P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC17 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AB04Q ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL29P ,  4J100AL29Q ,  4J100AL31P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BB07Q ,  4J100BB11P ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC15P ,  4J100BC36P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-021023   Applicant：信越化学工業株式会社
• 感光性組成物及び該組成物を用いた構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-056492   Applicant：キヤノン株式会社
• ネガ型感光性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-285127   Applicant：国立大学法人東京工業大学, 旭化成エレクトロニクス株式会社
• ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-010420   Applicant：富士フイルム株式会社
• ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-029397   Applicant：富士フイルム株式会社
• 感光性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-129640   Applicant：住友ベークライト株式会社
• 永久レジスト組成物、及びレジスト積層体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-200050   Applicant：日本化薬株式会社, マイクロケムコーポレイション
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-028876   Applicant：JSR株式会社
• パターン形成方法およびポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-129405   Applicant：日本電信電話株式会社
• パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-325915   Applicant：富士フイルム株式会社