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J-GLOBAL ID：201103098030307333

III族窒化物半導体基板及びその製造方法

Inventor：
大島 祐一

About 大島 祐一


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (3)： 油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009287528
Publication number (International publication number)：2011126745
Application date： Dec. 18, 2009
Publication date： Jun. 30, 2011
Summary：
【課題】段差などの乱れが少ない平坦な劈開面が得られるIII族窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】直径25mm以上、厚さ250μm以上のIII族窒化物半導体基板であって、前記III族窒化物半導体基板の外縁から5mm以内の外周部における少なくとも前記外縁側の部分は、前記III族窒化物半導体基板の主面内の応力が引張応力であり、且つ前記III族窒化物半導体基板の前記外縁側の部分よりも中心側の部分に比べて相対的に引張応力が大きくなっている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
直径25mm以上、厚さ250μm以上のIII族窒化物半導体基板であって、 前記III族窒化物半導体基板の外縁から5mm以内の外周部における少なくとも前記外縁側の部分は、前記III族窒化物半導体基板の主面内の応力が引張応力であり、且つ前記III族窒化物半導体基板の前記外縁側の部分よりも中心側の部分に比べて相対的に引張応力が大きくなっていることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。
IPC (6)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/34 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (6)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C23C16/34 ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/343 610 ,  H01L21/205
F-Term (43)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA07 ,  4G077EB06 ,  4G077EB10 ,  4G077FG18 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TC03 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DA69 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP82 ,  5F173AR84
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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