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J-GLOBAL ID：200903066234550760

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたn型窒化ガリウム単結晶基板

Inventor：
元木 健作

About 元木 健作

, 
上野 昌紀

About 上野 昌紀


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006130914
Publication number (International publication number)：2006240988
Application date： May. 10, 2006
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：
【課題】 酸素をn型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。【解決手段】 C面以外の面を表面(上面)にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらC面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。または、C面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらC面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をc軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
非C面を上面に持つ窒化ガリウム基板の上に、Si化合物を含まずガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しつつ、C面以外の一定方位の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより、当該C面以外の面を通して結晶中に酸素ドーピングを行うことを特徴とする窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (41)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA06 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA18 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA54 ,  5F041CA64 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AJ20 ,  5F173AP04 ,  5F173AR81
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (4)
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