Pat
J-GLOBAL ID:201203013340817813
フォトレジストを除去するための方法および装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2011533221
Publication number (International publication number):2012507143
Application date: Oct. 08, 2009
Publication date: Mar. 22, 2012
Summary:
【課題】【解決手段】本方法および装置は、フォトレジストをウエハから除去する。硫黄(S)、酸素(O)、および、水素(H)を含有する処理ガスが供給され、第1のチャンバ内で処理ガスからプラズマが生成される。ラジカルリッチかつイオンプアの反応媒体が、第1のチャンバから、ウエハの配置された第2のチャンバに流される。ウエハ上にパターニングされたフォトレジスト層が、反応媒体を用いて除去され、その後、第2のチャンバへの反応媒体の流入が停止される。反応媒体がウエハに到達する前に、水蒸気が反応媒体を溶媒和して化学種の溶媒和クラスタを形成するように、プラズマから下方に流れる反応媒体の流路内に設けられた溶媒和領域に、水蒸気が導入されてよい。フォトレジストは、溶媒和された反応媒体を用いて除去される。【選択図】図2
Claim (excerpt):
フォトレジストをウエハから除去するための方法であって、
硫黄(S)、酸素(O)、および、水素(H)を含有する処理ガスを供給する工程と、
第1のチャンバ内で前記処理ガスからプラズマを生成する工程と、
ラジカルリッチかつイオンプアな反応媒体を前記第1のチャンバから前記ウエハが配置された第2のチャンバへ流す工程であって、前記ウエハは、パターニングされたフォトレジスト層を上部に有する工程と、
前記反応媒体を用いて前記パターニングされたフォトレジスト層を除去する工程と、
前記第2のチャンバへの前記反応媒体の流入を停止する工程と
を備える方法。
IPC (2):
H01L 21/306
, H01L 21/304
FI (2):
H01L21/302 104H
, H01L21/304 645C
F-Term (19):
5F004AA09
, 5F004BA03
, 5F004BA16
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004BD01
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA26
, 5F004DB26
, 5F157AA76
, 5F157BG33
, 5F157BG35
, 5F157BG39
, 5F157CF46
, 5F157CF90
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
基板から有機物質を灰化する方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-529750
Applicant:アノンインコーポレイテッド
-
レジストの除去方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-284091
Applicant:ソニー株式会社
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-011503
Applicant:東京応化工業株式会社
-
プラズマ処理方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-115655
Applicant:日本電気株式会社
-
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-290231
Applicant:芝浦メカトロニクス株式会社
-
レジストアッシング方法及びレジストアッシング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-262979
Applicant:富士通株式会社
Show all
Return to Previous Page