半導体素子の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 亀松宏 , 永坂友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011109766
Publication number (International publication number)：2012243812
Application date： May. 16, 2011
Publication date： Dec. 10, 2012
Summary：

【課題】SiC半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】SiC基板10上にSiCエピタキシャル層16を形成し、該エピタキシャル層16にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記SiC基板10よりも欠陥密度の高いゲッタリング層13を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

SiC基板上にSiCエピタキシャル層を形成し、該エピタキシャル層にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記SiC基板よりも欠陥密度の高いゲッタリング層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/322 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , C30B 29/36 , C30B 31/22 , H01L 21/20 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (7)：

H01L21/322 J , H01L21/322 E , H01L29/91 F , C30B29/36 A , C30B31/22 , H01L21/20 , H01L29/48 D

F-Term (25)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077FD01 , 4G077FD05 , 4G077FE11 , 4G077FH05 , 4G077FH06 , 4G077FH07 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4M104AA03 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104FF08 , 4M104FF34 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104HH20 , 5F152LM09 , 5F152MM02 , 5F152MM03 , 5F152NN05 , 5F152NQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

SiC結晶の質を向上させる方法およびSiC半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-237996 Applicant：財団法人電力中央研究所
特開昭58-134430
特開昭58-134430

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

"Improvement of the thermal conductivity in 4H-SiC epitaxial layer by introducing gettering sites"
"Effect of Helium implantation on gettering and electrical properties of 4H-SiC epilayers"
"Effect of Helium implantation on gettering and electrical properties of 4H-SiC epilayers"

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