電力用半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010142241
Publication number (International publication number)：2012009522
Application date： Jun. 23, 2010
Publication date： Jan. 12, 2012
Summary：

【課題】基板中央部の温度上昇を抑制可能な電力用半導体装置を提供する。【解決手段】電力用半導体装置10Aは半導体基板100Aを有し、半導体基板100Aの厚さ方向103に電流が流れる。半導体基板100Aは、上記電流に対する抵抗が半導体基板100Aの外周部よりも半導体基板100Aの中央部において高くなるように構成された抵抗制御構造を含んでいる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体基板を有し前記半導体基板の厚さ方向に電流が流れる電力用半導体装置であって、前記半導体基板は、前記電流に対する抵抗が前記半導体基板の外周部よりも前記半導体基板の中央部において高くなるように構成された抵抗制御構造を備えることを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/861

FI (10)：

H01L29/78 655F , H01L29/78 653A , H01L29/78 652J , H01L29/78 655C , H01L29/78 658A , H01L29/78 658H , H01L29/78 652G , H01L29/78 655B , H01L29/91 D , H01L29/91 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

パワー半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-239098 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-225031 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
特開平2-003980

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