ヘテロ接合酸化物の不揮発性メモリデバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人北青山インターナショナル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012507481
Publication number (International publication number)：2012525016
Application date： Aug. 16, 2010
Publication date： Oct. 18, 2012
Summary：

メモリデバイスが開示されている。このメモリデバイスは、第1の金属層及び第1の金属層に結合された第1の金属酸化物層を具える。このメモリデバイスは、第1の金属酸化物層に結合された第2の金属酸化物層及び第2の金属酸化物層に結合された第2の金属層を有する。第1の金属酸化物層の形成が、第2の金属酸化物層の形成に関するギブスの自由エネルギよりも低いギブスの自由エネルギを有する。【選択図】図1b

Claim (excerpt)：

第1の金属層と; 前記第1の金属層に結合された第1の金属酸化物層と; 前記第1の金属酸化物層に結合された第2の金属酸化物層と; 前記第2の金属酸化物層に結合された第2の金属層と; を具えたメモリデバイスであって、前記第1の金属酸化物層の形成に関するギブスの自由エネルギが、前記第2の金属酸化物層の形成に関するギブスの自由エネルギよりも低いことを特徴とするメモリデバイス。

IPC (3)：

H01L 27/105 , H01L 27/10 , G11C 13/00

FI (5)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 461 , G11C13/00 110R , G11C13/00 120A , G11C13/00 140

F-Term (12)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA15 , 5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

抵抗変化型素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-280855 Applicant：富士通株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学
可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-292763 Applicant：シャープ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
マルチレベル相変化メモリ、及びその動作方法並びに製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-244397 Applicant：財団法人工業技術研究院

Show all

Return to Previous Page