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J-GLOBAL ID：201303019587944120

単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板

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Inventor： 志村 考功 ,  渡部 平司 ,  細井 卓治
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 前井 宏之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012042746
Publication number (International publication number)：2013179200
Application date： Feb. 29, 2012
Publication date： Sep. 09, 2013
Summary：

【課題】Snを添加することによりSiGeSnやGeSnの融点以下の熱処理で単結晶層を形成する技術を提供する。【解決手段】本発明は、単結晶状GeSn含有材料を製造する製造方法であって、保持基板に保持されたアモルファス状GeSn含有材料を用意する用意工程と、前記アモルファス状GeSn含有材料を加熱する加熱工程と前記アモルファス状GeSn含有材料を冷却する冷却工程とを包含する。更に、前記加熱工程は、前記アモルファス状GeSn含有材料を前記アモルファス状GeSn含有材料の融点温度以上にまで昇温することにより実行され得る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

単結晶状GeSn含有材料を製造する製造方法であって、 保持基板に保持されたアモルファス状GeSn含有材料を用意する用意工程と、 前記アモルファス状GeSn含有材料を加熱する加熱工程と 前記アモルファス状GeSn含有材料を冷却する冷却工程と、 を包含した、単結晶状GeSn含有材料の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (5)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L31/04 E ,  H01L31/04 H

F-Term (41)：

5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK08 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP36 ,  5F151AA02 ,  5F151AA08 ,  5F151CB02 ,  5F151CB08 ,  5F151CB12 ,  5F151GA04 ,  5F152AA11 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152BB09 ,  5F152CC02 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CD05 ,  5F152CD08 ,  5F152CD12 ,  5F152CD17 ,  5F152CE02 ,  5F152CE17 ,  5F152CE24 ,  5F152CE28 ,  5F152CF13 ,  5F152EE16 ,  5F152FF27 ,  5F152LL09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NP04 ,  5F152NQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-036441   Applicant：ソニー株式会社
• 伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-132189   Applicant：国立大学法人名古屋大学
• 熱処理装置及び熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-162143   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-282447   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所