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J-GLOBAL ID：201303028274678488

周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、および、当該製造方法によって得られた周期表第13族金属窒化物半導体結晶を用いた半導体発光デバイス

Inventor： 三谷 浩 ,  鈴木 敬紀 ,  藤戸 健史
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013061527
Publication number (International publication number)：2013227202
Application date： Mar. 25, 2013
Publication date： Nov. 07, 2013
Summary：

【課題】結晶の反りやクラックを簡便に抑制することが可能な、周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】下地基板上に、周期表第13族金属窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させる成長工程を有し、下地基板は、エピタキシャル成長させる結晶とは異なる結晶であり、成長工程にわたって前記下地基板の主面面積SAと前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の主面面積GAとの面積比aが式(1)の条件を満たしており、前記成長工程において、式(2)の条件を満たす成長阻害部材を用いることを特徴とする周期表第13族金属窒化物半導体の製造方法。式(1):面積比a=GA/SA≦0.90(SA:前記下地基板の主面面積、GA:前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の主面面積)式(2):TG/TM≦100・・・(2)(TG:前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の成長厚み、TM:成長阻害部材の厚み)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下地基板上に、周期表第13族金属窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させる成長工程を有し、 前記下地基板は、エピタキシャル成長させる前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶とは異なる結晶であり、 前記成長工程にわたって前記下地基板の主面面積SAと前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の主面面積GAとの面積比aが下記式(1)の条件を満たしており、 前記成長工程において、下記式(2)の条件を満たす成長阻害部材を用いることを特徴とする周期表第13族金属窒化物半導体の製造方法。 式(1):面積比a=GA/SA≦0.90(SA:前記下地基板の主面面積、GA:前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の主面面積) 式(2):TG/TM≦100・・・(2)(TG:前記周期表第13族金属窒化物半導体結晶の成長厚み、TM:成長阻害部材の厚み)

IPC (6)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/32

FI (6)：

C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/04 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 186

F-Term (43)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045DB02 ,  5F141AA40 ,  5F141AA41 ,  5F141CA40 ,  5F141CA64

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• III族窒化物半導体単結晶の製造方法、及びIII族窒化物半導体単結晶基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-057375   Applicant：日立電線株式会社
• 窒化物半導体材料および窒化物半導体結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-080383   Applicant：三菱化学株式会社
• 半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-063281   Applicant：松下電器産業株式会社
• 結晶が基材端部上に成長しないように基板上にエピタキシャル成長させて窒化物単結晶を製造する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-539612   Applicant：リュミログ
• 窒化物半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-295341   Applicant：豊橋技術科学大学長
• 化合物半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-011855   Applicant：松下電器産業株式会社
• III族窒化物半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-287528   Applicant：日立電線株式会社
• 単結晶体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-177738   Applicant：京セラ株式会社