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J-GLOBAL ID：201303057981608011

半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor：
中田 義昭

About 中田 義昭


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011142057
Publication number (International publication number)：2013008925
Application date： Jun. 27, 2011
Publication date： Jan. 10, 2013
Summary：
【課題】 ミスフィット転位の発生を抑制しつつ、量子ドットからの発光波長を長波長化することができる半導体装置の製造技術が望まれている。【解決手段】 チャンバ内に単結晶基板を装填し、単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、In及びAsを含む量子ドットを形成する。チャンバ内で、量子ドットに、少なくともAs2分子線を照射しながら第1アニールを行う。【選択図】 図4-1
Claim (excerpt)：
チャンバ内に単結晶基板を装填し、前記単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、In及びAsを含む量子ドットを形成する工程と、 前記チャンバ内で、前記量子ドットに、少なくともAs2分子線を照射しながら第1アニールを行う工程と を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/203
FI (2)：
H01S5/343 ,  H01L21/203 M
F-Term (17)：
5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103DD01 ,  5F103DD03 ,  5F103DD09 ,  5F103DD12 ,  5F103LL03 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F173AG20 ,  5F173AH03 ,  5F173AP09 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR02 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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