半導体層の検査方法および装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2005218329
Publication number (International publication number)：2007035991
Patent number：4777003
Application date： Jul. 28, 2005
Publication date： Feb. 08, 2007
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板上に形成された半導体層に光を照射するステップと、光照射によって半導体層で発生する励起子に特有な反射スペクトルを計測するステップと、該光学スペクトルのブロードニングファクターを解析することによって、半導体層の表面状態を評価するステップとを含むことを特徴とする半導体層の検査方法。

IPC (1)：

H01L 21/66 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 21/66 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体多層膜の分光計測方法および分光計測装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-009515 Applicant：三菱電機株式会社
AlGaN系化合物半導体のp型活性化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-081407 Applicant：大阪瓦斯株式会社
半導体基板表面の評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-045827 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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