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J-GLOBAL ID：201402275812370708   Reference number：14A1471193

GaN high electron mobility transistors for sub-millimeter wave applications

サブミリ波への応用を目指したGaNを基本とする高電子移動度トランジスター

Author (3)： LEE Dong Seup (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  LIU Zhihong (Singapore-MIT Alliance for Res. and Technol., Singapore) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 10  Page： 100212.1-100212.10  Publication year： Oct. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *submillimeter wave ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *HEMT ,  *equivalent circuit ,  *model ,  parameter ,  delay ,  *necessary condition ,  bias ,  semiconductor thin film
Semi thesaurus term： small signal model ,  遅延モデル ,  *limiting factor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (73)：

• U. K. Mishra, L. Shen, T. E. Kazior, and Y.-F. Wu, Proc. IEEE 96, 287 (2008).
• O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
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• M. A. Khan, J. N. Kuznia, J. M. Van Hove, N. Pan, and J. Carter, Appl. Phys. Lett. 60, 3027 (1992).

Terms in the title (4)： サブミリ波 ,  応用 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスター