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J-GLOBAL ID：201403009056866020

グラフェンの作製方法

Inventor：
前田 文彦

About 前田 文彦

, 
田邉 真一

About 田邉 真一

, 
日比野 浩樹

About 日比野 浩樹


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (3)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013035493
Publication number (International publication number)：2014162683
Application date： Feb. 26, 2013
Publication date： Sep. 08, 2014
Summary：
【課題】水素原子でSiC表面を終端した表面上にグラフェンが形成された構造において、本来のグラフェンの優れた特性が得られるようにする。【解決手段】ステップS101で、SiC基板を加熱してSiC基板の表面に6√3×6√3構造の炭素バッファー層を形成する(第1工程)。次に、ステップS102で、SiC基板を加熱した状態で炭素バッファー層が形成されているSiC基板の表面に水素を供給し、炭素バッファー層と基板側のSiとの結合を切断してグラフェンとし、グラフェンとSiC基板との間に存在するSiのダングリングボンドを水素で終端する(第2工程)。以上のようにしてグラフェンを形成した後、ステップS103で、グラフェンを形成したSiC基板を真空中で加熱してグラフェンの基板側に存在する炭化水素を除去する(第3工程)。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
SiC基板を加熱して前記SiC基板の表面に6√3×6√3構造の炭素バッファー層を形成する第1工程と、 前記SiC基板を加熱した状態で前記炭素バッファー層が形成されている前記SiC基板の表面に水素を供給し、前記炭素バッファー層と基板側のSiとの結合を切断してグラフェンとし、前記グラフェンと前記SiC基板との間に存在するSiのダングリングボンドを水素で終端する第2工程と、 前記グラフェンを形成した前記SiC基板を真空中で加熱して前記グラフェンの前記基板側に存在する炭化水素を除去する第3工程と を備えることを特徴とするグラフェンの作製方法。
IPC (1)：
C01B 31/02
FI (1)：
C01B31/02 101Z
F-Term (19)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD30 ,  4G146BA08 ,  4G146BC03 ,  4G146BC07 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC29 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146CA01 ,  4G146CA08 ,  4G146CA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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