Pat
J-GLOBAL ID:201403012791395880
第13族窒化物基板及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
岸本 達人
, 山下 昭彦
, 山本 典輝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012170197
Publication number (International publication number):2014028723
Application date: Jul. 31, 2012
Publication date: Feb. 13, 2014
Summary:
【課題】非極性面又は半極性面を主面として有し且つ表面粗度の小さいオリエンテーションフラット端面を有する第13族窒化物基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】主面と、オリエンテーションフラットとを有する第13族窒化物基板であって、前記主面は{1-100}面から<0001>方向に0°以上30°以下の範囲で傾斜した面であり、前記オリエンテーションフラットは、前記主面の[000-1]方向側にあって当該主面上において<11-20>±5°方向に平行に伸びる直線を成し、前記オリエンテーションフラットの端面の表面粗度Raは0.5μm以上3.0μm以下であることを特徴とする、第13族窒化物基板。【選択図】図3
Claim (excerpt):
主面と、オリエンテーションフラットとを有する第13族窒化物基板であって、
前記主面は{1-100}面から<0001>方向に0°以上30°以下の範囲で傾斜した面であり、
前記オリエンテーションフラットは、前記主面の[000-1]方向側にあって当該主面上において<11-20>±5°方向に平行に伸びる直線を成し、
前記オリエンテーションフラットの端面の表面粗度Raは0.5μm以上3.0μm以下であることを特徴とする、第13族窒化物基板。
IPC (3):
C30B 29/38
, C30B 33/00
, H01L 21/306
FI (3):
C30B29/38 D
, C30B33/00
, H01L21/306 B
F-Term (17):
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077AB10
, 4G077BE15
, 4G077FG06
, 4G077FG11
, 4G077FG16
, 4G077FG17
, 4G077FG18
, 4G077FG20
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F043AA16
, 5F043BB10
, 5F043EE10
, 5F043FF07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
窒化物半導体基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-218891
Applicant:住友電気工業株式会社
-
III族窒化物半導体基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-227680
Applicant:住友電気工業株式会社
-
窒化物半導体基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-116372
Applicant:日立電線株式会社
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Cited by examiner (6)
-
窒化物半導体基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-218891
Applicant:住友電気工業株式会社
-
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-227680
Applicant:住友電気工業株式会社
-
窒化物半導体基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-116372
Applicant:日立電線株式会社
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