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J-GLOBAL ID：201203032132431817

窒化物半導体基板の製造方法

Inventor：
田代 雅之

About 田代 雅之

, 
土井 成博

About 土井 成博


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (4)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010192307
Publication number (International publication number)：2012049448
Application date： Aug. 30, 2010
Publication date： Mar. 08, 2012
Summary：
【課題】平坦化された表面を有する窒化物半導体基板を単純な方法で得るための技術を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、互いに反対側の面である第1面112および第2面114を有し、前記第1面112の側が凸面をなし前記第2面114の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶110を準備する準備工程と、前記板状窒化物半導体結晶110の前記第2面114の側をプレート200に向け、前記第1面112の側が凸面をなし前記第2面114の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶110を前記プレート200で支持する支持工程と、前記プレート200で支持された前記板状窒化物半導体結晶110の前記第1面112を平坦化する平坦化工程とを含む。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
互いに反対側の面である第1面および第2面を有し、前記第1面の側が凸面をなし前記第2面の側が凹面をなすように反っている板状窒化物半導体結晶を準備する準備工程と、 前記板状窒化物半導体結晶の前記第2面の側をプレートに向け、前記第1面の側が凸面をなし前記第2面の側が凹面をなす状態で前記板状窒化物半導体結晶を前記プレートで支持する支持工程と、 前記プレートで支持された前記板状窒化物半導体結晶の前記第1面を平坦化する平坦化工程と、 を含むことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/304 ,  C30B 33/00 ,  C30B 29/38 ,  B24B 37/30
FI (6)：
H01L21/304 621B ,  C30B33/00 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/304 622J ,  B24B37/04 J ,  H01L21/304 622W
F-Term (20)：
3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058CB02 ,  3C058DA17 ,  4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077FG13 ,  4G077FG16 ,  4G077FG20 ,  4G077HA12 ,  5F057AA03 ,  5F057AA12 ,  5F057BA13 ,  5F057BB06 ,  5F057CA02 ,  5F057CA11 ,  5F057DA02 ,  5F057DA08 ,  5F057EC02 ,  5F057FA15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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