Pat
J-GLOBAL ID:201403021706706758
デバイス、及びデバイスの作製方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2014004274
Publication number (International publication number):2014187354
Application date: Jan. 14, 2014
Publication date: Oct. 02, 2014
Summary:
【課題】安価、且つ信頼性の高い接合を行う。【解決手段】本発明の実施の形態のデバイスは、機能素子及び電極が形成されている第1の基板と、貫通電極が形成されている第2の基板と、機能素子と第2の基板との間に所定の間隔を保持して、第1の基板と第2の基板とを接合する接合材と、電極と貫通電極とを電気的に接続する導電材と、を有し、接合材は、導電材と比べて、硬く且つ導電性が低いことを特徴とすることにより上記課題を解決する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
機能素子及び電極が形成されている第1の基板と、
貫通電極が形成されている第2の基板と、
前記機能素子と前記第2の基板との間に所定の間隔を保持して、前記第1の基板と前記第2の基板とを接合する接合材と、
前記電極と前記貫通電極とを電気的に接続する導電材と、を有し、
前記接合材は、前記導電材と比べて、硬く且つ導電性が低い
ことを特徴とするデバイス。
IPC (5):
H01L 23/02
, H01L 23/10
, H01L 23/04
, B81C 3/00
, B81B 7/02
FI (5):
H01L23/02 D
, H01L23/10 B
, H01L23/04 E
, B81C3/00
, B81B7/02
F-Term (17):
3C081AA18
, 3C081BA11
, 3C081BA27
, 3C081BA30
, 3C081BA32
, 3C081BA44
, 3C081BA75
, 3C081CA02
, 3C081CA05
, 3C081CA28
, 3C081CA31
, 3C081CA32
, 3C081CA42
, 3C081DA22
, 3C081DA25
, 3C081EA02
, 3C081EA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)と受動素子が集積化されたモジュール
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2007-513494
Applicant:インテル・コーポレーション
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-143323
Applicant:株式会社東芝
-
微小電気機械部品を製造するためのプロセス
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2003-528720
Applicant:カール-ツアイス-シュティフツンク
-
電子デバイス及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-381073
Applicant:新光電気工業株式会社
-
光偏向器パッケージ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-050394
Applicant:スタンレー電気株式会社
-
光半導体素子の実装構造および光半導体素子の実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-094950
Applicant:日本電信電話株式会社
Show all
Return to Previous Page