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J-GLOBAL ID:200903039412353144

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 酒井 宏明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008143323
Publication number (International publication number):2009285810
Application date: May. 30, 2008
Publication date: Dec. 10, 2009
Summary:
【課題】MEMS素子を保護するパッケージの変形を防ぎ、信頼性を向上させることを可能とする半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】MEMS可動部6を有するMEMS素子2と、MEMS可動部6の間に中空領域7を形成して中空構造となるようにMEMS素子2を封止する封止部材3と、を備え、封止部材3は、MEMS可動部6を覆うように形成された封止キャップ9と、MEMS素子2と封止キャップ9とを接着する、無機材料を主成分とするフィラーが添加された樹脂からなる封止枠10と、MEMS素子2の電極8に接続され、MEMS素子2と電気的に接続する外部接続電極11と、で構成されている。【選択図】 図8
Claim (excerpt):
可動部を有するMEMS素子と、 前記可動部の間に空隙を形成して中空構造となるように前記MEMS素子を封止する封止部材と、を備え、 前記封止部材は、 前記可動部の上側を覆うように形成された封止キャップと、 前記MEMS素子と前記封止キャップとを接着する、無機材料を主成分とするフィラーが添加された第1の樹脂からなる封止枠と、 前記MEMS素子の電極と電気的に接続する外部接続電極と、を備えたこと、 を特徴とする半導体装置。
IPC (3):
B81C 3/00 ,  H01L 23/08 ,  B81B 3/00
FI (3):
B81C3/00 ,  H01L23/08 A ,  B81B3/00
F-Term (7):
3C081AA01 ,  3C081BA30 ,  3C081BA32 ,  3C081BA42 ,  3C081CA32 ,  3C081CA42 ,  3C081DA22
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (12)
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