Pat
J-GLOBAL ID:201403031835427747
酸化亜鉛結晶層の製造方法及び酸化亜鉛結晶層並びにミスト化学気相成長装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
加藤 久
, 久保山 隆
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013033503
Publication number (International publication number):2014063973
Application date: Feb. 22, 2013
Publication date: Apr. 10, 2014
Summary:
【課題】安価にサファイア基板の非極性面に酸化亜鉛結晶層を形成する方法を提供する。【解決手段】酸化亜鉛前駆体を含む原料溶液を霧化して発生したミストをキャリアガスによって基板上に搬送し、該基板上で熱化学反応させて酸化亜鉛からなる層を形成するミスト化学気相成長法によって、表面の結晶面がa面又はm面であるサファイア基板上に酸化亜鉛を結晶成長させる酸化亜鉛結晶層の製造方法。【選択図】図5
Claim (excerpt):
酸化亜鉛前駆体を含む原料溶液を霧化して発生したミストをキャリアガスによって基板上に搬送し、該基板上で熱化学反応させて酸化亜鉛からなる層を形成するミスト化学気相成長法によって、表面の結晶面がa面又はm面であるサファイア基板上に酸化亜鉛を結晶成長させることを特徴とする酸化亜鉛結晶層の製造方法。
IPC (3):
H01L 21/365
, C23C 16/40
, C30B 29/16
FI (3):
H01L21/365
, C23C16/40
, C30B29/16
F-Term (56):
4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BB07
, 4G077DB05
, 4G077DB11
, 4G077DB21
, 4G077EA02
, 4G077EA06
, 4G077EC01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EG03
, 4G077EG14
, 4G077EG16
, 4G077EG21
, 4G077EG23
, 4G077EG25
, 4G077HA02
, 4K030AA03
, 4K030BA47
, 4K030BB04
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030EA03
, 4K030EA04
, 4K030FA10
, 4K030GA05
, 4K030JA10
, 4K030JA20
, 4K030KA24
, 4K030LA18
, 5F045AA00
, 5F045AB22
, 5F045AB40
, 5F045AC00
, 5F045AC03
, 5F045AC11
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AE29
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB02
, 5F045CA11
, 5F045DP04
, 5F045DP05
, 5F045DP28
, 5F045EE02
, 5F045EE20
, 5F045EF02
, 5F045EK06
, 5F045EM10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-045311
Applicant:株式会社村田製作所
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薄膜の製造方法とその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-039006
Applicant:新技術事業団
-
薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-113547
Applicant:中村有水
-
化学気相成長方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-313330
Applicant:三菱電機株式会社
-
特開平2-006389
-
成膜方法及び成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-122834
Applicant:藤田静雄, エムテック株式会社, セラミックフォーラム株式会社
-
酸化亜鉛単結晶層の成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-236924
Applicant:スタンレー電気株式会社
-
シリコン膜の形成方法及びシリコン膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-270338
Applicant:松下電器産業株式会社
-
特開平1-215981
-
誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-293048
Applicant:松下電子工業株式会社
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