ショットキー型接合素子とこれを用いた光電変換素子及び太陽電池

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：平山一幸 , 篠田哲也
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011506166
Patent number：5540323
Application date： Mar. 29, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】無機半導体と有機導電体とが接合されてショットキー接合を有するショットキー型接合素子であって、上記無機半導体がサファイア基板上に形成されたGaNであり、上記有機導電体がポリアニリン系の有機導電体である、ショットキー型接合素子。

IPC (2)：

H01L 31/06 ( 201 2.01) , H01L 31/108 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 31/04 N , H01L 31/10 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-269073 Applicant：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学
紫外線感知素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-519502 Applicant：マットサイエンステックカンパニーリミテッド
有機-無機半導体ヘテロ接合を有する光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-002208 Applicant：廣井善二, 村岡祐治, 山浦淳一

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

Photovoltaic Action in Polyaniline/n-GaN Schottky Diodes"
"Electrical properties of CdS/polyaniline heterojunction"
"Electrical properties of CdS/polyaniline heterojunction"

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