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J-GLOBAL ID:201403090156341716
ショットキー型接合素子とこれを用いた光電変換素子及び太陽電池
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (2):
平山 一幸
, 篠田 哲也
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2011506166
Patent number:5540323
Application date: Mar. 29, 2010
Claim (excerpt):
【請求項1】 無機半導体と有機導電体とが接合されてショットキー接合を有するショットキー型接合素子であって、
上記無機半導体がサファイア基板上に形成されたGaNであり、上記有機導電体がポリアニリン系の有機導電体である、ショットキー型接合素子。
IPC (2):
H01L 31/06 ( 201 2.01)
, H01L 31/108 ( 200 6.01)
FI (2):
H01L 31/04 N
, H01L 31/10 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-269073
Applicant:ローム株式会社, 国立大学法人東北大学
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紫外線感知素子
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-519502
Applicant:マットサイエンステックカンパニーリミテッド
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有機-無機半導体ヘテロ接合を有する光半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-002208
Applicant:廣井善二, 村岡祐治, 山浦淳一
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ダイオード及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-080153
Applicant:独立行政法人科学技術振興機構
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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